三星电子有限公司周四宣布，星宣芯片该公司已经开始在其位于韩国的布已华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片，是量产全球首家量产3纳米芯片的公司。


　　图片来源于三星半导体官方微博

　　与前几代使用FinFET的纳米芯片不同，三星使用的为全GAA（Gate All Around）晶体管架构，该架构大大改善了功率效率。球首三星半导体官方微博表示，家量“相较三星5纳米（nm）而言，产纳优化的米芯3纳米（nm）工艺，性能提高23%，公司功耗降低45%，星宣芯片芯片面积减少16%”。布已

　　据介绍，量产3nm GAA技术采用了更宽通的纳米纳米片，与采用窄通道纳米线的为全GAA?技术相比能提供更高的性能和能耗比。3nm GAA技术上，三星能够调整纳米晶体管的通道宽度，优化功耗和性能，从而能够满足客户的多元需求。

　　此外，GAA的设计灵活性对设计技术协同优化（DTCO)非常有利，有助于实现更好的PPA 优势。与三星5nm工艺相比，第一代3nm工艺可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面积减少16%；而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少35%。